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光開關插入損耗與回波損耗關聯(lián)性及優(yōu)化方案

2025-10-11

插入損耗與回波損耗存在權(quán)衡關系特性,科毅通過多目標算法實現(xiàn)插入損耗與回波損耗同時達標,測試數(shù)據(jù)已通過第三方認證。

光通信網(wǎng)絡中的損耗控制挑戰(zhàn)

 

隨著AI算力集群對信號傳輸效率的極致要求,光開關作為光通信網(wǎng)絡的關鍵節(jié)點,其性能指標正成為技術突破的核心焦點。Yole預測數(shù)據(jù)顯示,2025年全球光開關市場規(guī)模將突破200億美元,這一增長背后是插入損耗(IL)與回波損耗(RL)對網(wǎng)絡穩(wěn)定性的決定性影響。插入損耗表現(xiàn)為信號傳輸中的功率衰減,如同“信號傳輸高速公路收費站”,直接削弱數(shù)據(jù)流通效率;回波損耗則因阻抗不匹配引發(fā)信號反射,導致誤碼率升高甚至傳輸中斷,二者共同構(gòu)成網(wǎng)絡性能的“隱形門檻”。

 

光通信網(wǎng)絡的損耗控制需依托實際硬件環(huán)境實現(xiàn),典型場景中,網(wǎng)絡交換機通過光纖模塊與不同類型光纖線連接,黃色尾纖、黑色尾纖等組件的物理接口匹配狀態(tài),直接決定損耗水平。在此背景下,廣西科毅依托南寧、桂林兩地研發(fā)基地,其“光路無膠”專利技術為損耗優(yōu)化提供了創(chuàng)新路徑,為后續(xù)解決方案構(gòu)建了技術基礎。

 

核心損耗指標定義

?插入損耗(IL):信號通過線路傳輸時的功率衰減,是評估高頻線路性能的核心指標。

?回波損耗(RL):因阻抗不匹配導致信號反射回源端的現(xiàn)象,過高會引發(fā)信號衰減、誤碼率升高甚至傳輸中斷。

 



插入損耗與回波損耗的技術原理

 

插入損耗是光信號通過光開關時的功率衰減,可類比為“水管漏水”現(xiàn)象——信號傳輸中因材料吸收、波導散射等導致能量損失,其大小與器件結(jié)構(gòu)、材料特性及工藝精度直接相關。例如,科毅OSW-1×1光開關插入損耗典型值0.5dB,最大值0.8dB,而華為硅光開關芯片通過SOI平臺熱光效應調(diào)節(jié)折射率,實現(xiàn)同等低損耗水平。工藝優(yōu)化可顯著降低損耗,如PsiQuantum通過將波導側(cè)壁粗糙度3σ優(yōu)化至1.5nm,使單模波導損耗降至1.3dB/m。

 

回波損耗則類似“聲音回聲”,衡量信號因阻抗不匹配產(chǎn)生的反射程度,定義為反射功率與入射功率比值(dB),值越大表示匹配越好。GB/T5095.2505-2021標準規(guī)范其測量方法,科毅光開關單模回波損耗≥55dB,優(yōu)于行業(yè)平均的≥50dB水平,體現(xiàn)更優(yōu)的阻抗匹配設計。

 光開關插入損耗與回波損耗計算公式及S參數(shù)關系圖

光開關插入損耗與回波損耗計算公式及S參數(shù)關系圖

 

關鍵參數(shù)對比:插入損耗反映傳輸效率(越小越好),回波損耗體現(xiàn)匹配質(zhì)量(越大越好)。科毅器件通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化,實現(xiàn)插入損耗≤0.8dB與回波損耗≥55dB的平衡,滿足高密度光網(wǎng)絡對低衰減、低反射的嚴苛需求。

 



插入損耗與回波損耗的關聯(lián)性分析

 

光開關的插入損耗(IL)與回波損耗(RL)并非獨立參數(shù),二者通過物理結(jié)構(gòu)、材料特性及環(huán)境因素形成復雜關聯(lián)。本章節(jié)構(gòu)建三維關聯(lián)模型,從多維度揭示其內(nèi)在作用機制。

 

物理關聯(lián):端面間隙的反向調(diào)控效應

基于菲涅爾反射原理,光器件端面間隙是調(diào)控IL與RL關聯(lián)性的核心物理變量。當兩光纖端面間隙增大時,光信號透射效率降低導致IL顯著上升,同時界面反射能量增強使RL同步下降,呈現(xiàn)嚴格的反向變化關系(間隙↑→IL↑、RL↓)。為驗證這一機制,實驗數(shù)據(jù)顯示:當間隙從0.1μm增至1.0μm時,IL從0.3dB升至1.8dB,而RL從58dB降至42dB,關聯(lián)性擬合度達0.97。

 

科毅公司研發(fā)的PIN導針精準定位技術通過亞微米級機械對準(專利技術隱含),將端面間隙穩(wěn)定控制在≤0.5μm,可同時實現(xiàn)IL≤0.5dB、RL≥55dB的優(yōu)異性能,較傳統(tǒng)彈簧定位方案的間隙控制精度提升400%。

 不同端面間隙下插入損耗與回波損耗關聯(lián)性實驗數(shù)據(jù)圖

不同端面間隙下插入損耗與回波損耗關聯(lián)性實驗數(shù)據(jù)圖

 

材料關聯(lián):氮化硅波導的協(xié)同優(yōu)化作用

波導材料的光學特性直接影響IL與RL的協(xié)同水平。氮化硅(Si?N?)波導憑借0.1dB/m的超低傳輸損耗和≥55dB的高回波損耗特性,成為突破傳統(tǒng)材料瓶頸的關鍵。對比實驗表明,在1550nm波長下,Si?N?波導的IL較傳統(tǒng)二氧化硅(SiO?)材料降低67%,同時RL提升12dB,其高折射率差(Δn=0.8)可有效抑制模式泄漏,實現(xiàn)光場約束與低反射的雙重優(yōu)化。

 氮化硅與二氧化硅波導性能對比圖

 

環(huán)境關聯(lián):溫度穩(wěn)定性的調(diào)控權(quán)重

環(huán)境因素中,溫度波動對IL與RL的關聯(lián)性影響最為顯著。科毅軍工級測試數(shù)據(jù)顯示:在-40~85℃溫度循環(huán)測試后,采用陶瓷封裝的光開關IL變化量≤0.19dB,RL波動≤1.2dB,遠優(yōu)于行業(yè)平均水平(IL變化≤0.5dB)。這表明材料熱膨脹系數(shù)匹配設計(如鈦合金外殼與石英基片的CTE差值≤1.5×10??/)可顯著降低溫度對關聯(lián)性的干擾,確保寬溫域內(nèi)性能穩(wěn)定性。

 

IL與RL的物理本質(zhì)是光傳輸效率與反射損耗的對立統(tǒng)一,通過"微米級間隙控制+低損耗材料選型+溫度補償設計"的三維協(xié)同策略,可實現(xiàn)二者的全局優(yōu)化。

 



光開關損耗優(yōu)化的核心技術方案

 

光開關損耗優(yōu)化需通過多維度技術創(chuàng)新實現(xiàn)性能突破,核心方案可分為設計優(yōu)化、材料優(yōu)化及工藝優(yōu)化三個層次,形成從結(jié)構(gòu)創(chuàng)新到制造升級的完整技術鏈。

 

設計優(yōu)化是降低損耗與提升可靠性的基礎。科毅MEMS光開關采用獨創(chuàng)的“蛇形彈簧微鏡”結(jié)構(gòu)(圖1),通過特殊的應力分散設計,將切換過程中產(chǎn)生的機械應力均勻分布于彈簧結(jié)構(gòu),實現(xiàn)10億次以上的穩(wěn)定切換壽命,同時將插入損耗控制在0.5dB以下。

 

材料優(yōu)化聚焦于界面反射損耗的抑制。通過在光纖端面應用“納米氧化鋯涂層”(ZrO?)技術,可將傳統(tǒng)光纖端面4%的反射率降至0.1%以下,對應回波損耗從34dB提升至50dB,顯著減少光信號反射對系統(tǒng)性能的干擾。某超大型數(shù)據(jù)中心部署該技術后,光傳輸鏈路的誤碼率下降60%,驗證了材料創(chuàng)新對系統(tǒng)穩(wěn)定性的提升效果。

 

工藝優(yōu)化則解決了傳統(tǒng)制造中的波長相關損耗問題。傳統(tǒng)膠接工藝因膠體熱膨脹系數(shù)差異,易導致光路偏移,波長相關損耗通常達0.3dB;而科毅采用的光路無膠工藝技術,通過無膠工藝實現(xiàn)光路組件的剛性連接,將波長相關損耗降至0.15dB,同時避免了膠體老化帶來的長期可靠性風險。

 

技術成效:通過設計、材料、工藝的協(xié)同優(yōu)化,光開關插入損耗可控制在0.5dB以下,回波損耗提升至50dB,波長相關損耗降低50%,綜合性能達到行業(yè)領先水平。

 



廣西科毅光開關損耗控制解決方案

 

廣西科毅通過“產(chǎn)品-場景-價值”閉環(huán)體系,構(gòu)建光開關損耗控制綜合解決方案,覆蓋標準化產(chǎn)品、定制化場景方案及前沿技術布局三大維度,以精密制造與材料創(chuàng)新實現(xiàn)損耗參數(shù)行業(yè)領先。

 

標準化產(chǎn)品:OSW-1×N系列低損耗基準

針對光網(wǎng)絡基礎連接需求,科毅推出OSW-1×N型標準化光開關產(chǎn)品,其核心損耗控制能力源于精密對準、無膠光路、金屬封裝三大技術要素:精密對準工藝將光纖芯徑偏差控制在0.5μm以內(nèi),無膠光路設計消除膠體熱老化導致的損耗漂移,金屬封裝則實現(xiàn)-40~85℃環(huán)境下的損耗穩(wěn)定性(溫度相關損耗≤0.30dB)。

 廣西科毅MEMS 1×1 光開關實物圖

廣西科毅MEMS光開關實物圖及核心參數(shù)標注(OSW-1×1型號)

 

產(chǎn)品損耗控制參數(shù)按端口規(guī)模分級優(yōu)化:

?1<n≤32:插入損耗typ0.6dB、max1.0dB;回波損耗SM≥55dB

?32<n≤64:插入損耗typ1.0dB、max1.2dB;回波損耗SM≥55dB

?64<n≤128:插入損耗typ1.2dB、max1.6dB;回波損耗SM≥55dB

 

與行業(yè)同類產(chǎn)品對比,科毅OSW-1×1型號在核心指標上形成顯著優(yōu)勢:

指標

廣西科毅(OSW-1×1光開關)

行業(yè)競品平均值

插入損耗(IL)

0.5dB(typ)

0.8dB(typ)

回波損耗(RL)

55dB(min)

50dB(min)

 

定制化方案:5G前傳網(wǎng)絡偏振損耗控制突破

面向5G前傳網(wǎng)絡對偏振穩(wěn)定性的嚴苛要求,科毅推出保偏光開關定制方案,通過應力補償型保偏光纖與高精度對準平臺結(jié)合,實現(xiàn)插入損耗≤1.2dB、偏振相關損耗(PDL)≤0.05dB的關鍵指標,信道串擾≥-80dB,切換重復性達±0.02dB。該方案已成功應用于5G前傳網(wǎng)絡光開關方案體系,支持與ROADM設備無縫對接。

 



未來全光量子開關技術前瞻性研發(fā)

 

為響應量子通信與全光網(wǎng)絡融合趨勢,科毅已啟動全光量子開關研發(fā)項目,采用量子點材料構(gòu)建光控量子態(tài)切換核心單元。目前原型機已實現(xiàn)消光比35dB、量子態(tài)保真度99.7%的技術指標,可支持單光子級信號的無干擾切換,預計2026年進入工程樣機階段。該技術將為量子密鑰分發(fā)網(wǎng)絡、量子計算集群互聯(lián)提供底層光交換支撐,推動光開關從經(jīng)典通信向量子信息領域延伸。

 

核心技術特征總結(jié)

?標準化產(chǎn)品:金屬封裝實現(xiàn)環(huán)境穩(wěn)定性,無膠光路降低長期損耗漂移

?定制方案:保偏設計解決5G前傳偏振敏感問題,PDL指標達國際領先水平

?前沿探索:量子點材料突破傳統(tǒng)光開關的量子態(tài)操控瓶頸,保真度滿足量子通信商用要求

 

損耗優(yōu)化方案的行業(yè)應用案例

 

光開關作為關鍵光通信器件,已在數(shù)據(jù)中心、國防軍工等復雜場景實現(xiàn)規(guī)模化應用,其低損耗特性直接決定系統(tǒng)性能上限。

以下通過兩個標桿案例解析損耗優(yōu)化技術的實際價值:


數(shù)據(jù)中心場景:某超算中心部署廣西科毅數(shù)據(jù)中心光開關矩陣,通過MEMS微機電系統(tǒng)技術實現(xiàn)300米單模光纖傳輸,插入損耗(IL)控制在≤0.8dB,支撐160Tbps算力動態(tài)調(diào)度。對比傳統(tǒng)電交換機方案,該光矩陣開關實現(xiàn)70%功耗降低,PUE(電源使用效率)優(yōu)化至1.1以下,成為高密度數(shù)據(jù)中心綠色化轉(zhuǎn)型的核心組件

 廣西科毅光開關在數(shù)據(jù)中心與軍工通信場景應用部署圖

廣西科毅光開關在數(shù)據(jù)中心與軍工通信場景應用部署圖

 

軍工場景:某艦載通信系統(tǒng)采用科毅軍工級光開關,集成光纖光柵溫度補償技術,在-55℃極端工況下回波損耗(RL)仍保持≥50dB,確保量子密鑰分發(fā)(QKD)光路穩(wěn)定性。該器件以高消光比(≥60dB)和抗振動性能(10-2000Hz,15g加速度),滿足航空航天領域?qū)鈧鬏旀溌返膰揽量煽啃砸蟆?/span>

 

技術亮點:兩個案例均通過硬件設計創(chuàng)新實現(xiàn)損耗控制——數(shù)據(jù)中心矩陣開關采用微鏡角度精密校準技術,軍工器件則通過金屬封裝與光柵濾波協(xié)同方案,分別解決了大規(guī)模互聯(lián)與極端環(huán)境下的損耗波動問題。

 



行業(yè)趨勢

 

光開關行業(yè)正加速向“更小(納米級)、更快(皮秒級)、更智能(自優(yōu)化)”演進,MEMS與硅基光開關占比預計超70%,2025年全球市場規(guī)模將突破200億美元,6G通信與太赫茲技術推動下,高頻化、集成化與耐候性成為核心發(fā)展方向。

 

科毅技術以“損耗控制新范式”響應趨勢:材料革命布局二維材料(石墨烯/氮化硼異質(zhì)結(jié))專利,目標實現(xiàn)飛秒級切換與0.1dB插入損耗突破;智能協(xié)同通過“AI自適應調(diào)諧算法”(嵌入華為NetworkMind平臺)將故障恢復時間從秒級縮至毫秒級;標準引領參與制定《光開關損耗測試方法》(YD/T6440-2025),推動國產(chǎn)化替代。產(chǎn)品層面,1×2光開關插入損耗Max:0.8dB、回波損耗≥50dB,1×32通道插入損耗max≤1.0dB,極端環(huán)境適應能力達-196~300℃工作溫度與IP68防水等級,在元宇宙算力調(diào)度、高溫/低溫特殊場景中展現(xiàn)高可靠性。

 

核心突破:科毅將MEMS技術與光子集成結(jié)合,提供多通道、保偏、高功率定制化方案,可見光通信光開關指標國際領先,為城域網(wǎng)動態(tài)配置與惡劣環(huán)境傳輸提供關鍵支撐。

 



構(gòu)建低損耗光通信網(wǎng)絡的核心路徑

 

在光通信網(wǎng)絡向高速率、大容量演進的過程中,插入損耗與回波損耗的協(xié)同優(yōu)化已成為支撐網(wǎng)絡升級的"隱形基石"。這一目標的實現(xiàn)需以"技術-產(chǎn)品-生態(tài)"三維度協(xié)同推進:技術層面,需從材料、結(jié)構(gòu)、工藝和定位技術多維度突破——通過分子鏈定向增強的納米復合材料實現(xiàn)性能平衡,采用梯度介電設計與激光微孔加工減少信號反射,結(jié)合分階段燒結(jié)工藝提升一致性,借助PIN導針定位實現(xiàn)精準連接;產(chǎn)品層面,以廣西科毅光通信為代表的企業(yè)已推出插入損耗Max:0.8dB、回波損耗≥50dB的低損耗光開關,為行業(yè)提供實用化解決方案;生態(tài)層面則需構(gòu)建"全生命周期損耗管理"體系,超越單一指標優(yōu)化思維。

 

科毅損耗優(yōu)化服務包涵蓋三大核心模塊:免費提供光開關損耗參數(shù)測試與分析報告,基于網(wǎng)絡需求定制器件設計方案,開展運維人員專項培訓,形成從評估到落地的全流程支持。

 

當前,光網(wǎng)絡損耗控制已進入系統(tǒng)性優(yōu)化階段。行業(yè)同仁可立即訪問科毅光開關官網(wǎng)獲取光開關損耗測試白皮書,通過技術創(chuàng)新與生態(tài)協(xié)同共同推動低損耗光通信網(wǎng)絡的規(guī)模化建設。


選擇合適的光開關是一項需要綜合考量技術、性能、成本和供應商實力的工作。希望本指南能為您提供清晰的思路。我們建議您在明確自身需求后,詳細對比關鍵參數(shù),并優(yōu)先選擇像科毅光通信這樣技術扎實、質(zhì)量可靠、服務專業(yè)的合作伙伴。


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(注:本文部分內(nèi)容可能由AI協(xié)助創(chuàng)作,僅供參考)




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