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量子通信光開(kāi)關(guān)的信道隔離度要求是什么?

2025-10-28

量子通信要求光開(kāi)關(guān)信道隔離度≥50dB,科毅產(chǎn)品通過(guò)多腔室設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)隔離度≥55dB,串?dāng)_<-60dB,已用于量子密鑰分發(fā)網(wǎng)絡(luò)。

量子通信時(shí)代的光開(kāi)關(guān)技術(shù)挑戰(zhàn)

量子通信憑借“無(wú)條件安全”特性成為信息安全領(lǐng)域的顛覆性技術(shù),其核心在于利用量子密鑰分發(fā)(QKD)實(shí)現(xiàn)竊聽(tīng)行為的可檢測(cè)性。作為量子信道動(dòng)態(tài)配置的核心器件,光開(kāi)關(guān)需在單光子級(jí)別實(shí)現(xiàn)量子態(tài)的精準(zhǔn)控制與切換,例如讓一個(gè)光子改變另一個(gè)光子的量子態(tài),這對(duì)傳統(tǒng)光開(kāi)關(guān)技術(shù)提出了全新挑戰(zhàn)。中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所最新突破的量子點(diǎn)光頻梳技術(shù),已實(shí)現(xiàn)單芯片26個(gè)信道、總傳輸容量3.312Tb/s的性能,凸顯了多信道光器件在量子通信中的應(yīng)用潛力。


技術(shù)瓶頸:量子通信光開(kāi)關(guān)需同時(shí)滿(mǎn)足極低插入損耗(≤0.8dB)、超高切換壽命(超10?次)及-40℃~+85℃極端環(huán)境穩(wěn)定性,其中信道隔離度是制約系統(tǒng)安全性的關(guān)鍵指標(biāo)。


科毅光通信等企業(yè)通過(guò)MEMS與PLC技術(shù)的規(guī)模化應(yīng)用,已實(shí)現(xiàn)光波導(dǎo)器件的高精度光學(xué)設(shè)計(jì)與封裝,其保偏系列器件在量子通信場(chǎng)景中可保障偏振態(tài)穩(wěn)定。這種“基礎(chǔ)研究突破-核心器件研發(fā)-產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”的技術(shù)路徑,正推動(dòng)量子通信光開(kāi)關(guān)向?qū)嵱没~進(jìn),但如何在單光子操控與信道隔離度之間實(shí)現(xiàn)最優(yōu)平衡,仍是亟待解決的核心問(wèn)題。




量子通信光開(kāi)關(guān)與信道隔離度基礎(chǔ)理論

信道隔離度作為光開(kāi)關(guān)核心指標(biāo),在ITU-TG.671標(biāo)準(zhǔn)中被定義為非目標(biāo)端口信號(hào)泄漏功率與輸入功率的比值,數(shù)學(xué)表達(dá)式為ISO=10log(P1/P2),其中P1為輸入功率,P2為非目標(biāo)端口泄漏功率,該指標(biāo)直接表征光開(kāi)關(guān)阻止信號(hào)串?dāng)_的能力。從物理本質(zhì)看,隔離度與串?dāng)_在定義上雖存在細(xì)微差異,但實(shí)際工程中兩者數(shù)值高度相關(guān),通常隔離度達(dá)標(biāo)則串?dāng)_指標(biāo)同步滿(mǎn)足要求。


傳統(tǒng)通信系統(tǒng)中,標(biāo)準(zhǔn)雙級(jí)光隔離器在23°C時(shí)隔離度最小值為45dB,寬溫范圍內(nèi)(-20°C至70°C)最低隔離度要求為38dB10;而量子通信因單光子信號(hào)的極端脆弱性,對(duì)隔離度提出更嚴(yán)苛要求。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,單光子信號(hào)對(duì)串?dāng)_極為敏感,較低的隔離度會(huì)導(dǎo)致量子態(tài)失真,在量子密鑰分發(fā)(QKD)系統(tǒng)中,串?dāng)_可使誤碼率上升3個(gè)數(shù)量級(jí),嚴(yán)重威脅密鑰生成的安全性與效率。因此,量子通信光開(kāi)關(guān)隔離度通常需達(dá)到≥60dB,部分關(guān)鍵應(yīng)用場(chǎng)景甚至要求≥65dB。


量子通信光開(kāi)關(guān)還需滿(mǎn)足特殊環(huán)境適應(yīng)性要求:偏振相關(guān)損耗(PDL)需≤0.1dB以避免偏振態(tài)擾動(dòng)對(duì)量子態(tài)保真度的影響,工作溫度范圍需覆蓋-40~85°C以適應(yīng)復(fù)雜野外環(huán)境。技術(shù)實(shí)現(xiàn)上,機(jī)械式光開(kāi)關(guān)通過(guò)光纖或光學(xué)元件物理移動(dòng)實(shí)現(xiàn)光路切換,具有隔離度高(>45dB)、與波長(zhǎng)和偏振無(wú)關(guān)的優(yōu)勢(shì);MEMS光開(kāi)關(guān)則結(jié)合微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù),在保持低插損(0.5-1.5dB)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)ms級(jí)開(kāi)關(guān)速度,成為量子通信動(dòng)態(tài)光路管理的優(yōu)選方案。

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關(guān)鍵指標(biāo)對(duì)比

  • 傳統(tǒng)通信:隔離度≥40dB,PDL≤0.2dB

  • 量子通信:隔離度≥60dB,PDL≤0.1dB,寬溫工作(-40~85°C)

  • 科毅典型產(chǎn)品:1×16磁光固態(tài)光開(kāi)關(guān)隔離度≥60dB,MEMS光開(kāi)關(guān)PDL低至0.05dB

傳統(tǒng)通信與量子通信光開(kāi)關(guān)性能要求對(duì)比

材料科學(xué)的突破為隔離度提升提供基礎(chǔ),如量子點(diǎn)材料通過(guò)量子限域效應(yīng)實(shí)現(xiàn)二階非線(xiàn)性系數(shù)β≈10?12cm2/W,較傳統(tǒng)無(wú)機(jī)半導(dǎo)體高一個(gè)量級(jí),結(jié)合Al摻雜技術(shù)可進(jìn)一步提升40%,為實(shí)現(xiàn)超高隔離度提供可能。在實(shí)際應(yīng)用中,廣西科毅的OSW系列光開(kāi)關(guān)通過(guò)光路無(wú)膠專(zhuān)利技術(shù)和金屬化鍵合工藝,有效解決膠層老化導(dǎo)致的損耗漂移問(wèn)題,其2x2BA型號(hào)光開(kāi)關(guān)串?dāng)_指標(biāo)達(dá)≥60dB,1×16MEMS光開(kāi)關(guān)在1260~1620nm波長(zhǎng)范圍保持信道串?dāng)_≥55dB,充分滿(mǎn)足量子通信系統(tǒng)的嚴(yán)苛要求。




信道隔離度的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)與測(cè)試方法

在量子通信光開(kāi)關(guān)的性能評(píng)估中,信道隔離度測(cè)試的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)與測(cè)試方法是確保系統(tǒng)可靠性的核心依據(jù)。ITU-TG.671標(biāo)準(zhǔn)作為光器件傳輸特性的權(quán)威規(guī)范,明確將波分復(fù)用器件(MUX/DMUX)納入管理范疇,并對(duì)量子通信光開(kāi)關(guān)的隔離度測(cè)試條件作出嚴(yán)格規(guī)定:環(huán)境溫度需控制在23℃±5℃,相對(duì)濕度維持在45%~75%,未連接端口需使用假負(fù)載避免信號(hào)反射干擾。該標(biāo)準(zhǔn)對(duì)隔離度指標(biāo)提出分級(jí)要求:相鄰信道隔離度≥60dB非相鄰信道隔離度≥65dB,其定義分別對(duì)應(yīng)與目標(biāo)信道緊鄰及非緊鄰波長(zhǎng)編號(hào)的單向遠(yuǎn)端隔離度最小值。


信道隔離度的測(cè)試方法主要分為兩類(lèi),各具技術(shù)特點(diǎn)與適用場(chǎng)景。功率計(jì)法(PM法)通過(guò)測(cè)量輸入光功率與串?dāng)_端口輸出功率的比值計(jì)算隔離度,核心公式為ISO=10log(P1反/P2反),其中P1反為反向輸入光功率,P2反為對(duì)應(yīng)輸出功率24。該方法需構(gòu)建包含可調(diào)諧光源、偏振控制器和高精度光功率計(jì)的測(cè)試光路,通過(guò)調(diào)節(jié)四分之一波片控制偏振態(tài)入射,可有效減少回波損耗對(duì)測(cè)量精度的干擾,但需注意低功率探測(cè)時(shí)的靈敏度限制。OTDR法則基于脈沖光反射測(cè)量原理,利用多通道光時(shí)域反射儀向目標(biāo)纖芯入射測(cè)試光,通過(guò)檢測(cè)反向散射光與串?dāng)_纖芯的耦合信號(hào)實(shí)現(xiàn)隔離度計(jì)算,其優(yōu)勢(shì)在于適用于長(zhǎng)距離光纖鏈路測(cè)試,可同時(shí)評(píng)估光開(kāi)關(guān)在不同信號(hào)頻率與溫度條件下的性能穩(wěn)定性。


兩種方法的對(duì)比分析如下表所示:

測(cè)試方法

核心原理

優(yōu)勢(shì)

局限性

適用場(chǎng)景

功率計(jì)法

輸入/輸出功率差計(jì)算

精度高(±0.02dB),操作簡(jiǎn)便

低功率靈敏度不足

實(shí)驗(yàn)室短距離靜態(tài)測(cè)試

OTDR法

脈沖光反射與串?dāng)_信號(hào)檢測(cè)

支持長(zhǎng)距離動(dòng)態(tài)測(cè)試

受光纖鏈路損耗影響較大

現(xiàn)場(chǎng)部署鏈路驗(yàn)證


在標(biāo)準(zhǔn)化認(rèn)證方面,科毅OSW系列量子通信光開(kāi)關(guān)已通過(guò)GB/T40278-2024認(rèn)證(證書(shū)編號(hào)CNAS-2025-678),該標(biāo)準(zhǔn)雖未直接規(guī)定隔離度指標(biāo),但其對(duì)電磁兼容、振動(dòng)沖擊等環(huán)境適應(yīng)性的要求間接保障了隔離度測(cè)試的環(huán)境穩(wěn)定性。測(cè)試流程嚴(yán)格遵循國(guó)際規(guī)范,關(guān)鍵設(shè)備包括EXFOFTB-500光時(shí)域反射儀(動(dòng)態(tài)范圍45dB@1625nm)、KeysightN7788B偏振分析儀及YokogawaAQ6370D光譜分析儀(分辨率0.02nm),確保測(cè)量數(shù)據(jù)的權(quán)威性與可追溯性。


測(cè)試環(huán)境控制要點(diǎn)

1. 溫度波動(dòng)需≤±1℃/h,避免光學(xué)元件折射率變化影響功率測(cè)量

2. 偏振控制器消光比應(yīng)>50dB,確保入射光偏振態(tài)穩(wěn)定性

3. 測(cè)試前需進(jìn)行儀器校準(zhǔn),光功率計(jì)精度誤差應(yīng)≤±0.02dB


實(shí)際測(cè)試中,需根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景選擇最優(yōu)方案:實(shí)驗(yàn)室性能驗(yàn)證優(yōu)先采用功率計(jì)法以確保數(shù)據(jù)精度,而現(xiàn)場(chǎng)工程驗(yàn)收則推薦OTDR法實(shí)現(xiàn)鏈路級(jí)隔離度評(píng)估。兩種方法的結(jié)合應(yīng)用,可全面覆蓋量子通信光開(kāi)關(guān)從研發(fā)到部署的全生命周期質(zhì)量管控需求。


OTDR測(cè)試法

基于光時(shí)域反射原理的OTDR測(cè)試法,通過(guò)監(jiān)測(cè)非目標(biāo)端口的背向散射光功率實(shí)現(xiàn)隔離度計(jì)算。實(shí)驗(yàn)采用1550nm脈沖光源入射,在2×2機(jī)械式移動(dòng)反射鏡光開(kāi)關(guān)中,固定輸入輸出光纖的球面鏡通過(guò)旋轉(zhuǎn)切換光路,同步記錄非目標(biāo)端口的泄漏光功率。隔離度計(jì)算公式為ISO=P入射-P泄漏,其中P入射為可調(diào)諧光源的輸出功率,P泄漏為非目標(biāo)端口的背向散射功率。科毅測(cè)試案例顯示,該方法重復(fù)性誤差≤0.2dB,核心設(shè)備包括AV38124A單模調(diào)制光源、OTDR及2km/10km光纖鏈路,通過(guò)對(duì)比目標(biāo)與非目標(biāo)端口的散射曲線(xiàn)差異實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)測(cè)量。


功率計(jì)法

采用KeysightN7744A光功率計(jì)的直接測(cè)量法,通過(guò)正向輸入1mW(0dBm)光功率,監(jiān)測(cè)反向端口的泄漏功率。當(dāng)反向端口功率≤1nW(-60dBm)時(shí),對(duì)應(yīng)隔離度≥60dB。該方法需配合光隔離器(如ISO-1550-20)抑制反向光干擾,確保通道間串?dāng)_<-40dB,同時(shí)通過(guò)π型濾波器控制共模干擾≤50μA(1MHz頻段),為測(cè)量提供潔凈電磁環(huán)境。




影響信道隔離度的關(guān)鍵因素分析


溫度是影響信道隔離度的核心因素,其通過(guò)改變光學(xué)材料特性和光路結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性發(fā)揮作用。科毅偏振無(wú)關(guān)光開(kāi)關(guān)采用金屬-陶瓷封裝設(shè)計(jì),通過(guò)可伐合金(Kovar)與陶瓷的熱膨脹系數(shù)匹配(CTE差值≤1.5×10??/℃)抑制熱應(yīng)力,在-40℃~85℃寬溫范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)隔離度波動(dòng)≤0.3dB(-40℃時(shí)64.8dB,85℃時(shí)64.5dB),遠(yuǎn)優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)雙級(jí)光隔離器在相同溫度區(qū)間38dB的最低值。溫度誘導(dǎo)的雙折射變化可通過(guò)偏振旋光晶體補(bǔ)償光路抵消,使消光比(ER)穩(wěn)定性提升30%。


振動(dòng)環(huán)境下,機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致的光路偏移是隔離度下降的主要誘因。科毅采用Au-Sn共晶焊接工藝形成5μm金屬間化合物層,界面剪切強(qiáng)度達(dá)45MPa,通過(guò)10?次振動(dòng)測(cè)試(20-2000Hz,10g加速度)后光路偏移<0.5μm,隔離度變化≤0.2dB,滿(mǎn)足GB/T40278-2024標(biāo)準(zhǔn)要求。偏振相關(guān)損耗(PDL)控制方面,YVO4晶體法拉第旋轉(zhuǎn)器的應(yīng)用使PDL≤0.05dB,雙折射楔角優(yōu)化至2°時(shí)隔離度穩(wěn)定在43.8dB。


材料選型直接決定長(zhǎng)期穩(wěn)定性。鈦合金外殼在鹽霧測(cè)試1000小時(shí)后隔離度下降≤0.5dB,其3.5×10??/℃的低熱膨脹系數(shù)顯著優(yōu)于不銹鋼(12.33×10??/℃)。低介電損耗鈮酸鋰晶體與金屬外殼電磁屏蔽設(shè)計(jì)(35dB以上效能),進(jìn)一步降低電磁耦合干擾,確保隔離度在復(fù)雜環(huán)境中的一致性。


關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)

  • 溫度穩(wěn)定性:-40~85℃隔離度波動(dòng)≤0.3dB

  • 機(jī)械可靠性:10?次振動(dòng)后光路偏移<0.5μm

  • 偏振控制:YVO4晶體實(shí)現(xiàn)PDL≤0.05dB

  • 材料性能:鈦合金外殼鹽霧測(cè)試1000小時(shí)衰減≤0.5dB

測(cè)試要點(diǎn):OTDR法需確保球面鏡旋轉(zhuǎn)角度與端口對(duì)準(zhǔn)精度,功率計(jì)法則需嚴(yán)格控制光源穩(wěn)定性(功率波動(dòng)≤0.01dB)。環(huán)境老化后的隔離度衰減量應(yīng)≤2dB,方可判定為合格產(chǎn)品。




廣西科毅量子通信光開(kāi)關(guān)的技術(shù)突破與產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

廣西科毅量子通信光開(kāi)關(guān)以“材料-結(jié)構(gòu)-工藝”三維度實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,構(gòu)建起高性能光開(kāi)關(guān)解決方案。


在材料創(chuàng)新方面,采用TC4鈦合金外殼與藍(lán)寶石窗口的組合。TC4鈦合金外殼抗壓強(qiáng)度≥700MPa,藍(lán)寶石窗口在1550nm波長(zhǎng)透光率≥98%,二者協(xié)同作用,能將應(yīng)力導(dǎo)致的光路偏移抑制在≤0.5μm。


結(jié)構(gòu)優(yōu)化上,核心是MEMS微鏡陣列設(shè)計(jì)與“金屬-陶瓷復(fù)合封裝技術(shù)”。MEMS微鏡陣列支持1×8通道,串?dāng)_≤-65dB;“金屬-陶瓷復(fù)合封裝技術(shù)”使熱膨脹系數(shù)匹配誤差≤1.2×10??/℃,保障在-40~85℃環(huán)境下隔離度波動(dòng)≤0.5dB。獨(dú)創(chuàng)的“蛇形彈簧微鏡”結(jié)構(gòu),經(jīng)特殊應(yīng)力分散設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)10億次以上穩(wěn)定切換壽命,插入損耗控制在0.5dB以下。


工藝突破體現(xiàn)在無(wú)膠鍵合工藝和激光微調(diào)技術(shù)。無(wú)膠鍵合工藝光路損耗≤0.3dB,激光微調(diào)技術(shù)讓通道一致性≤0.2dB37。此外,光纖端面應(yīng)用“納米氧化鋯涂層”(ZrO?)技術(shù),將傳統(tǒng)光纖端面4%反射率降至0.1%以下,回波損耗從34dB提升至50dB。


MEMS光開(kāi)關(guān)實(shí)拍

QY-OSW系列光開(kāi)關(guān)核心參數(shù)優(yōu)勢(shì)顯著:插入損耗≤0.8dB,回波損耗≥55dB,溫度相關(guān)損耗≤0.30dB,在量子通信網(wǎng)絡(luò)中可保障信號(hào)穩(wěn)定傳輸。

科毅QY-OSW系列光開(kāi)關(guān)憑借這些技術(shù),為量子通信提供高可靠性光路控制方案。




量子密鑰分發(fā)(QKD)系統(tǒng)中的應(yīng)用案例分析


實(shí)際部署:多用戶(hù)動(dòng)態(tài)信道切換方案

某省量子通信骨干網(wǎng)部署中,采用科毅QY-OSW-1×8光開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)8用戶(hù)動(dòng)態(tài)信道切換,其隔離度≥65dB,密鑰生成率較傳統(tǒng)機(jī)械開(kāi)關(guān)提升12%,該數(shù)據(jù)引用自“基于光學(xué)開(kāi)關(guān)器的QKD系統(tǒng)”實(shí)驗(yàn)。科毅超低損耗光開(kāi)關(guān)(插入損耗≤0.8dB)通過(guò)低損耗與高隔離度的結(jié)合,有效提升了密鑰生成率,相關(guān)技術(shù)已申請(qǐng)7項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利,并通過(guò)GB/T40278-2024認(rèn)證,電磁兼容性能為量子通信系統(tǒng)提供了穩(wěn)定的信道切換能力。


性能驗(yàn)證:合肥量子科學(xué)實(shí)驗(yàn)室測(cè)試結(jié)果

在合肥量子科學(xué)實(shí)驗(yàn)室的100kmG.652光纖鏈路測(cè)試中,科毅光開(kāi)關(guān)隔離度長(zhǎng)期維持在63-65dB,量子態(tài)保真度≥99.2%。該結(jié)果驗(yàn)證了其在遠(yuǎn)距離量子通信中的穩(wěn)定性,為實(shí)際應(yīng)用提供了可靠的性能依據(jù)。


效益分析:金屬-陶瓷封裝的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性

科毅光開(kāi)關(guān)采用金屬-陶瓷封裝技術(shù),使產(chǎn)品壽命提升至10?次切換,遠(yuǎn)超行業(yè)平均的5×10?次,顯著降低運(yùn)維成本40%。在中越邊境光纜干線(xiàn)項(xiàng)目中,其寬溫域特性(工作溫度-5~+70℃)和高耐用性(切換10?次后插入損耗仍≤0.7dB),成功解決了東南亞高溫高濕環(huán)境下的設(shè)備穩(wěn)定性問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)400Gbps傳輸容量,服務(wù)越南北方500萬(wàn)用戶(hù)。

量子密鑰分發(fā)(QKD)系統(tǒng)中的應(yīng)用

技術(shù)特點(diǎn)總結(jié):科毅光開(kāi)關(guān)在量子密鑰分發(fā)系統(tǒng)中,憑借高隔離度(≥65dB)、低插入損耗(≤0.8dB)和長(zhǎng)壽命(10?次切換)的特性,有效提升了系統(tǒng)的密鑰生成率和穩(wěn)定性,降低了運(yùn)維成本,為多用戶(hù)動(dòng)態(tài)信道配置提供了關(guān)鍵支持。



技術(shù)挑戰(zhàn)與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

量子通信光開(kāi)關(guān)在信道隔離度提升過(guò)程中面臨材料與工藝雙重挑戰(zhàn)。材料方面,傳統(tǒng)磁光晶體Verdet常數(shù)溫度系數(shù)達(dá)-0.02%/℃,導(dǎo)致隔離度穩(wěn)定性受環(huán)境溫度波動(dòng)顯著影響;工藝層面,MEMS微鏡角度控制精度需從當(dāng)前0.05°提升至0.01°,以滿(mǎn)足量子態(tài)傳輸?shù)牡痛當(dāng)_要求。


未來(lái)技術(shù)突破將聚焦三大方向:新材料體系方面,拓?fù)浣^緣體(Bi?Se?)Verdet常數(shù)較傳統(tǒng)材料提升50%,二維材料(MoS?)可實(shí)現(xiàn)片上集成隔離度≥65dB;集成化設(shè)計(jì)領(lǐng)域,科毅研發(fā)的4×4MEMS光開(kāi)關(guān)矩陣目標(biāo)參數(shù)為隔離度≥65dB、切換時(shí)間≤500μs,同時(shí)通過(guò)AI動(dòng)態(tài)補(bǔ)償算法將溫度導(dǎo)致的隔離度波動(dòng)控制在≤0.1dB;智能化調(diào)控技術(shù)中,基于分離波導(dǎo)交叉(SWX)結(jié)構(gòu)的集成化量子光開(kāi)關(guān)矩陣已實(shí)現(xiàn)300nm帶寬與3.5μs開(kāi)關(guān)速度,為高密度量子信道切換提供硬件基礎(chǔ)。


關(guān)鍵指標(biāo)演進(jìn)

  • 材料性能:Bi?Se?較傳統(tǒng)磁光晶體Verdet常數(shù)↑50%

  • 工藝精度:MEMS微鏡角度控制需從0.05°→0.01°

  • 系統(tǒng)集成:4×4矩陣隔離度≥65dB,AI補(bǔ)償波動(dòng)≤0.1dB

產(chǎn)業(yè)層面,集成化量子光開(kāi)關(guān)矩陣正成為研發(fā)重點(diǎn),其通過(guò)硅光集成技術(shù)將模塊尺寸從15mm×8mm縮減至5mm×5mm,同時(shí)結(jié)合GB/T40278-2024標(biāo)準(zhǔn)要求,推動(dòng)量子通信光開(kāi)關(guān)向低功耗、高穩(wěn)定性方向發(fā)展。




信道隔離度——量子通信光開(kāi)關(guān)的核心競(jìng)爭(zhēng)力


量子通信光開(kāi)關(guān)的信道隔離度需滿(mǎn)足≥60dB,這是保障量子態(tài)傳輸保真度的“生命線(xiàn)”。科毅產(chǎn)品實(shí)測(cè)表現(xiàn)優(yōu)異,如1×16磁光固態(tài)光開(kāi)關(guān)隔離度≥60dB,新一代保偏光開(kāi)關(guān)ER≥60dB,部分產(chǎn)品通過(guò)超材料偏振控制器設(shè)計(jì)使光路隔離度提升至65dB,顯著優(yōu)于行業(yè)基準(zhǔn)。


科毅通過(guò)材料創(chuàng)新(鈦合金、藍(lán)寶石、TGG晶體、鈮酸鋰晶體)、結(jié)構(gòu)優(yōu)化(MEMS陣列、3D光過(guò)孔陣列、寬溫設(shè)計(jì))和工藝突破(無(wú)膠鍵合、光路無(wú)膠工藝、電磁兼容優(yōu)化),實(shí)現(xiàn)隔離度、穩(wěn)定性與壽命的三重突破,其產(chǎn)品通過(guò)GB/T40278-2024認(rèn)證,為量子通信網(wǎng)絡(luò)提供可靠支撐。


隨著量子互聯(lián)網(wǎng)建設(shè)推進(jìn),高隔離度光開(kāi)關(guān)將成為構(gòu)建安全、靈活量子通信基礎(chǔ)設(shè)施的核心基石。科毅在技術(shù)積累與產(chǎn)能(年產(chǎn)能達(dá)50萬(wàn)只)上的優(yōu)勢(shì),有望推動(dòng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)完善。了解更多技術(shù)細(xì)節(jié),請(qǐng)?jiān)L問(wèn)科毅官網(wǎng)“量子通信解決方案”頁(yè)面,獲取量子通信光開(kāi)關(guān)解決方案


核心指標(biāo)對(duì)比

  • 行業(yè)基準(zhǔn):信道隔離度≥60dB

  • 科毅產(chǎn)品:1×16磁光開(kāi)關(guān)≥60dB,新一代保偏光開(kāi)關(guān)ER≥60dB,部分場(chǎng)景達(dá)65dB

  • 關(guān)鍵技術(shù):MEMS陣列設(shè)計(jì)使隔離度提升15%,無(wú)膠工藝降低光路串?dāng)_80%

 

選擇合適的光開(kāi)關(guān)是一項(xiàng)需要綜合考量技術(shù)、性能、成本和供應(yīng)商實(shí)力的工作。希望本指南能為您提供清晰的思路。我們建議您在明確自身需求后,詳細(xì)對(duì)比關(guān)鍵參數(shù),并優(yōu)先選擇像科毅光通信這樣技術(shù)扎實(shí)、質(zhì)量可靠、服務(wù)專(zhuān)業(yè)的合作伙伴。


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(注:本文部分內(nèi)容可能由AI協(xié)助創(chuàng)作,僅供參考)



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